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型号： FDBL9403-F085T6
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封裝： HPSOF-8L
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描述：類型：N溝道(dào) 漏源電(diàn)壓(Vdss)：40V 連續漏極電(diàn)流(Id)：300A 功率(Pd)：159.6W 導通(tōng)電(diàn)阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.84mΩ@10V,50A 阈值電(diàn)壓(Vgs(th)@Id)：2.8V@250μA 栅極電(diàn)荷(Qg@Vgs)：108nC@10V 輸入電(diàn)容(Ciss@Vds)：6.985nF@25V 反向傳輸電(diàn)容
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型号： FDL100N50F
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封裝： TO-264-3
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型号： ESD9B3.3ST5G
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封裝： SOD-923
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描述：極性：Bidirectional 反向關斷電(diàn)壓（典型值）：3.3V (Max) 擊穿電(diàn)壓（最小(xiǎo)值）：5V 箝位電(diàn)壓：11.5V 峰值脈沖電(diàn)流（10/1000us）：2A TVS 二極管 - 瞬态電(diàn)壓抑制(zhì)器(qì)
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型号： MMSD4148T1G
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封裝： SOD-123
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描述：二極管配置：獨立式 功率：425mW 直流反向耐壓(Vr)：100V 平均整流電(diàn)流(Io)：200mA 正向壓降(Vf)：1V@10mA 反向電(diàn)流(Ir)：5μA@75V 反向恢複時(shí)間(jiān)(trr)：4ns 工作(zuò)溫度：-55℃~+150℃@(Tj)
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型号： ESD9X3.3ST5G
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封裝： SOD-923
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描述：極性：Unidirectional 反向關斷電(diàn)壓（典型值）：3.3V (Max) 擊穿電(diàn)壓（最小(xiǎo)值）：5V 箝位電(diàn)壓：10.4V 峰值脈沖電(diàn)流（10/1000us）：9.8A (8/20us)
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型号： MMSZ4690T1G
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封裝： SOD-123
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描述：二極管配置：獨立式 穩壓值(标稱值)：5.6V 穩壓值(範圍)：5.32V~5.88V 功率：500mW 反向電(diàn)流(Ir)：10μA@4V 5.32V~5.88V,0.5W
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型号： ESD5B5.0ST1G
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封裝： SOD-523
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描述：極性：Bidirectional 反向關斷電(diàn)壓（典型值）：5V (Max) 擊穿電(diàn)壓（最小(xiǎo)值）：5.8V
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型号： TCA0372DWR2G
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封裝： SOIC-16
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描述：運放類型：General Purpose 放大(dà)器(qì)組數(shù)：2 增益帶寬積（GBP）：1.4MHz 壓擺率（SR）：1.4 V/us 電(diàn)源電(diàn)壓：5V ~ 40V, ± 2.5V ~ 20V 各通(tōng)道(dào)供電(diàn)電(diàn)流：1.03mA
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型号： MC74AC138DR2G
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封裝： SOIC-16
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描述：類型：解碼器(qì)/多(duō)路解器(qì) 低(dī)電(diàn)平輸出電(diàn)流(IOL)：24mA 高(gāo)電(diàn)平輸出電(diàn)流(IOH)：24mA 供電(diàn)電(diàn)源：單電(diàn)源 供電(diàn)電(diàn)壓：2V~6V 工作(zuò)溫度：-40℃~+85℃
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型号： NCL30001DR2G
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封裝： SOIC-16
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型号： MC74HCT4051ADR2G
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封裝： SOIC-16
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型号： MC74HC139ADR2G
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封裝： SOIC-16
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描述：類型：解碼器(qì)/多(duō)路解器(qì) 低(dī)電(diàn)平輸出電(diàn)流(IOL)：5.2mA 高(gāo)電(diàn)平輸出電(diàn)流(IOH)：5.2mA 供電(diàn)電(diàn)源：單電(diàn)源 供電(diàn)電(diàn)壓：2V~6V 工作(zuò)溫度：-55℃~+125℃
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型号： NCP1395ADR2G
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封裝： SOIC-16
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型号： NCP13992ACDR2G
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封裝： SOIC-16
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型号： MC14020BDR2G
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封裝： SOIC-16
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型号： NCV1413BDR2G
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封裝： SOIC-16
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描述： 50V 0.5A 7NPN達林頓
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型号： MC14017BDR2G
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封裝： SOIC-16
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描述：邏輯類型：計(jì)數(shù)器(qì)，十進制(zhì) 方向：上(shàng) 元件數(shù)：1 單元件位數(shù)：10 複位方式：異步 計(jì)數(shù)速率：16MHz 觸發器(qì)類型：正邊沿 工作(zuò)電(diàn)壓：3V~18V 工作(zuò)溫度：-55℃~+125℃
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型号： NCP1396ADR2G
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封裝： SOIC-16
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